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第二百零五章 3.5D芯片堆叠封装技术

第二百零五章 3.5D芯片堆叠封装技术 (第2/2页)

他脑海里将思路整理了一遍,目前来看14纳米光刻机这条路走不通,芯片制程上凤凰现在能用的,只有28纳米光刻机。
  
  可是。
  
  28纳米光刻机怎么才能生产14纳米的芯片呢?
  
  想到这,胡来忽然眼前一亮。
  
  魔改?
  
  现在中芯国际有28纳米的光刻机,自己订购的28纳米光刻机也快要到货,能不能通过系统技术魔改28纳米光刻机后实现生产14纳米芯片呢?
  
  刹那间,胡来赶紧进入国货之光系统里查看一番。
  
  “欢迎进入国货之光系统。”
  
  没有耽搁,胡来直接搜索了光刻机技术。
  
  “EUV型14纳米光刻机良品率改进技术……”
  
  “EUV型28纳米光刻机曝光技术……”
  
  “……”
  
  看了一圈,系统里光刻机技术下确实有不少改良技术,但都是关于良品率、提高生产效率等技术。
  
  而胡来预想的魔改某一种技术后实现28纳米光刻机实现14纳米芯片生产的技术,并没有。
  
  胡来顿时有些失落,系统里没有魔改28纳米光刻机的技术,那意味着光刻机这条路彻底走不通了。
  
  他微微皱眉,除了通过光刻机制程,现在还有什么技术路线才能让28纳米芯片达到14纳米芯片的性能呢?
  
  想到此处,胡来脑海飞速运转起来。
  
  在芯片行业里,影响一颗芯片的性能有几个因素,一个是芯片制程,另一个是芯片架构和设计方桉,还有一个是封装技术。
  
  芯片制程就是常见的多少纳米,在体积大小相同的情况下,14nm工艺的芯片,容纳的晶体管数量几乎是28nm的2倍多!
  
  说得直白点,晶体管的数量越多,处理器性能越强,纳米越小,芯片解析能力越强。
  
  除开芯片制程,芯片的架构和设计方桉也有影响。
  
  比如同样的ARM架构下,华伟麒麟9000和骁龙888同样的5纳米制程,芯片设计方桉的不同也会让两款芯片性能有差别。
  
  不过凤凰虎跃芯片架构和设计方桉都是系统出品,已经是凤凰现在最好的水平。
  
  芯片制程和芯片架构设计方桉都没办法改进了。
  
  胡来思绪来到了最后一个,封装技术。
  
  胡来对封装技术了解很少,顾名思义也就是把芯片里面的各个元器件包裹封闭,避免核心部件和空气接触……
  
  “封装技术对芯片性能影响不大吧……”
  
  虽然心里非常不确定,但此刻胡来还是下意识地在系统里搜索了一下。
  
  已经有丰富搜索经验的胡来输入“芯片封装”技术后,搜索结果出现当前可以实现的各项芯片封装技术。
  
  胡来熟练地将各项技术按照积分高低排序,没想到……
  
  下一刻。
  
  映入眼帘的第一个封装技术,竟然高达2000万积分!
  
  【“TSS四维动态封装技术”】。
  
  胡来:“???”
  
  封装技术竟然有需要2000万积分的?
  
  胡来内心一下就火热起来,需要积分越高,那封装技术就越强!
  
  他接着往下看……
  
  【TSS-3.5D芯片堆叠封装技术】,积分:1000万!
  
  芯片堆叠???
  
  一听名字,胡来急不可耐地点开详情页面,等光速浏览完技术介绍,愣了片刻后。
  
  一阵狂喜!
  
  
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